Vishay Intertechnology公司在紧凑的热增强PowerPAK中引入了共漏双n通道60v MOSFET®1212 - 8 - scd包。Vishay Siliconix旨在提高电池管理系统、插入式和无线充电器、DC/DC转换器和电源的功率密度和效率SiSF20DN提供行业最低的Rs(上)在60v共排器件中。
双MOSFET提供RS-S(ON)低至10 mΩ典型的10 V，在3mm × 3mm占地面积的60v设备中最低。这个值也代表了在占地面积上比次优解决方案提高了42.5%，比Vishay上一代设备低89%。其结果是降低了功率路径上的电压降，并将功率损失降至最低，从而提高了效率。为了获得更高的功率密度，SiSF20DN的RS1S2(上)倍面积比次优MOSFET低46.6%，即使包括更大的6mm × 5mm溶液。
为了节省PCB空间，减少组件数量，简化设计，该设备使用了两个单片集成TrenchFET的优化封装结构®Gen IV n沟道mosfet的通用漏极配置。SiSF20DN的源触点并排放置，与传统的双封装类型相比，扩大的连接增加了与PCB的接触面积，并进一步降低了电阻率。这种设计使MOSFET适用于24v系统和工业应用中的双向开关，包括工厂自动化、电动工具、无人机、电机驱动、白色家电、机器人、安全/监视和烟雾报警器。
SiSF20DN是100% Rg和uis测试，符合rohs标准，无卤素。
MOSFET的样品和生产数量现已提供，较大订单的交货时间为30周。