联盟的记忆宣布扩大其产品范围，推出新的高速CMOS产品线DDR4更快。与上一代DDR3器件相比，4Gb AS4C256M16D4和AS4C512M8D4在96球和78球FBGA封装中提供更低的功耗和更快的数据传输速率。
与DDR3 dram相比，该器件释放的工作电压从1.5V降至+1.2V(±0.06V)，以延长笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式电子产品的电池寿命。为了提高桌面计算机和服务器的效率和性能，256Mb × 16位AS4C256M16D4和512M × 8位AS4C512M8D4提供多达16个内存组，并提供更快的时钟速度至1333MHz，以实现极高的传输速率2400Mbps/引脚(1200MHz)和2666Mbps/引脚(1333MHz)。
DDR4 sdram具有最小的芯片尺寸，可为许多类似的解决方案提供可靠的插入式、引脚对引脚兼容的替代品，从而消除了昂贵的重新设计和零件再认证的需要。这些器件提供扩展的商业(0°C至+95°C)和工业(-40°C至+95°C)温度范围，是工业，医疗，物联网，汽车，游戏和消费市场的理想选择。
AS4C256M16D4和AS4C512M8D4支持顺序突发和交错突发类型，读取或写入突发长度为BL8/BC4/BC4或8。自动预充功能提供了一个自定时行预充在爆发序列结束时启动。易于使用的刷新功能包括自动或自刷新。符合JEDEC和rohs标准，器件不含铅(Pb)和卤素。
设备规格表:
部分# |
密度 |
组织 |
包 |
温度范围(°C) |
as4c256m16d4 - 83 bcn |
4 gb |
256Mb × 16 |
96 -球FBGA |
0到+95 |
as4c256m16d4 - 83 bcntr * |
4 gb |
256Mb × 16 |
96 -球FBGA |
0到+95 |
as4c256m16d4 - 83本 |
4 gb |
256Mb × 16 |
96 -球FBGA |
-40到+95 |
as4c256m16d4 - 83 bintr * |
4 gb |
256Mb × 16 |
96 -球FBGA |
-40到+95 |
as4c256m16d4 - 75 bcn |
4 gb |
256Mb × 16 |
96 -球FBGA |
0到+95 |
as4c256m16d4 - 75 bcntr * |
4 gb |
256Mb × 16 |
96 -球FBGA |
0到+95 |
as4c256m16d4 - 75本 |
4 gb |
256Mb × 16 |
96 -球FBGA |
-40到+95 |
as4c256m16d4 - 75 bintr * |
4 gb |
256Mb × 16 |
96 -球FBGA |
-40到+95 |
as4c512m8d4 - 83 bcn |
4 gb |
512Mb × 8 |
78 -球FBGA |
0到+95 |
as4c512m8d4 - 83 bcntr * |
4 gb |
512Mb × 8 |
78 -球FBGA |
0到+95 |
as4c512m8d4 - 83本 |
4 gb |
512Mb × 8 |
78 -球FBGA |
-40到+95 |
as4c512m8d4 - 83 bintr * |
4 gb |
512Mb × 8 |
78 -球FBGA |
-40到+95 |
as4c512m8d4 - 75 bcn |
4 gb |
512Mb × 8 |
78 -球FBGA |
0到+95 |
as4c512m8d4 - 75 bcntr * |
4 gb |
512Mb × 8 |
78 -球FBGA |
0到+95 |
as4c512m8d4 - 75本 |
4 gb |
512Mb × 8 |
78 -球FBGA |
-40到+95 |
as4c512m8d4 - 75 bintr * |
4 gb |
512Mb × 8 |
78 -球FBGA |
-40到+95 |
*卷包装 |
新的4Gb DDR4 dram样品现已上市。生产数量将于2019年11月提供，交货时间为8周。