Richardson RFPD, Inc.宣布了来自Wolfspeed (Cree公司)的一系列碳化硅半导体器件的可用性和完整的设计支持能力。
根据Wolfspeed的说法，e系列SiC mosfet代表了业界首个符合汽车标准，具有ppap能力和耐湿度的mosfet。该器件包括Wolfspeed的第三代坚固平面技术，具有最低的开关损耗和最高的优点。
e系列mosfet优化用于电动汽车电池充电器和车载汽车电源转换系统，车载充电，太阳能逆变器和其他户外应用的高压DC/DC转换器。
该器件在整个工作温度范围内具有最低900 V漏源击穿电压(Vbr)，具有低输出电容的高速开关，具有低RDS(on)的900 V阻塞电压以及具有低反向恢复(Qrr)的快速本征二极管。e系列易于并行，易于驱动，并可在to -247-3包。
新e系列的其他关键功能包括:
零件号 |
额定电流* |
Rds(上)(mΩ)* |
门负责 |
反向回收费用(Qrr) |
输出电容 |
反向恢复时间(Trr) |
35 |
65 |
30. |
150 |
60 |
35 |
|
23 |
120 |
17 |
115 |
40 |
24 |
|
11.5 |
280 |
9.5 |
47 |
20. |
20. |
* 25ºc
如欲了解更多信息，请访问E3M0065090D，E3M0120090D而且E3M0280090D网页。