各种共面波导(CPW)的结构已经在过去的研究。例如，CPW是温在1969年提出的[1]，b[2]。Gupta在[3]中列出了各种类型的CPW:有限介电厚度的CPW，有限接平面的CPW，带屏蔽层的CPW，带屏蔽层的导体背CPW，多层CPW，非对称CPW和有限介电厚度共面波导(CBCPW)。Wolff在b[4]中分析了CPW。最近，人们对5G应用[5]、高速数字应用[6]-[9]和光学频率[10]的毫米波频率下PCB和集成电路上传输线的宽带特性重新产生了兴趣。具体的传输线特征已经被研究，从铜粗糙度建模[11]，[12]，在CPW中放置过孔[12]- [18]，CPW的性能已经与[19]中的微带进行了比较。
带状线是高速数字电路中首选的传输线。带状线的优点是它支持TEM模式，因此没有色散，也没有较低的截止频率。带状线具有低辐射，此外，远端串扰为零，因为对称产生相对电容和电感耦合近似等于[20]。然而，对于特定的传输线阻抗，信号带的宽度与基板的高度必须是固定的，这限制了带线的设计灵活性。
CPW的一个优点是它的设计灵活性。cpw可以在厚基板上制造。在CPW中实现特定特性阻抗的设计准则是信号带宽度与间隙的比值。(信号带的宽度与基板的高度之比不需要固定就能产生50欧姆的线路。)只要间隙尺寸小于衬底厚度[1]，特性阻抗与衬底厚度无关。为了避免寄生微带模式，微带的宽度和间隙必须小于到下或上地的距离。为了避免带状线模式，间隙必须小于信号线宽度。
在带状线和CPW中都可以引入过孔以防止平行板波导模式，但这会增加制造复杂性和成本。此外，可以引入气桥来消除槽线(即奇数CPW)模式。CPW可以制成比微带[21]更小的尺寸，因此，带状线也是如此。为了使平行板模式最小化，可以减小与信号线在同一层上的接平面的尺寸，使结构成为有限接地共面波导(FGC)。
在实践中，基板的底部通常是金属化的，用于结构支撑和改善多层板中各层之间的隔离。顶部的金属盖也存在于封装电路中，使得大多数CPW结构都是带盖屏蔽的导体背压CPW。这项工作研究了嵌入式导体支持的CPW，具有覆盖屏蔽和有限尺寸的接地FGC，适用于多层板，如英特尔架构平台[22]。本文研究了带线和带屏蔽线的FGC的损耗比较、模态分析和耦合问题。
仿真设置
首先利用HFSS的模态分析对FGC和带状线进行了单线模拟。对于单线，为CPW和带状线设置了四种模式，长度为4mil。然后使用HFSS解嵌功能将结果解嵌到1英寸。
在模拟中使用了FR-4板的典型值:r= 4:4, tan = 0:02 = 5:78。采用HFSS中的Groiss模型[23]选项，粗糙度设为RMS=6 m。对所有金属表面设置相同的粗糙度。在这种情况下，CPW的性能很可能被低估了，因为在信号带的一侧，电场集中的地方，粗糙度较低。所有金属的有限厚度为1/ 20z，或t = 0:7密耳。介质损耗采用简单损耗模型进行建模。
带状线尺寸使用是德科技高级设计系统[24]中的Linecalc进行设计。衬底的尺寸最初使用的是典型的基于英特尔的多层板。在多层堆叠中，层是芯层、预浸料层和铜箔层。在本仿真中，介质材料为典型的FR4均质衬底，且芯和预preq具有相同的介电性能。带状线信号宽度设置为w= 7mils，到任何一个地的距离保持在9mils，以保持50欧姆的阻抗。
利用[26]和ADS中的方程，在Matlab[25]中计算具有屏蔽阻抗的导体背压CPW，将信号线宽度设置为7mils，并增加到地的距离，直到在衬底高度h=12mils处寄生微带模式最小化。CPW到地平面的距离设为16mils。对于50欧姆-欧姆线路，间隙为g = 4密耳。然后通过查看广义s参数来检查HFSS中的传输线阻抗模拟，以查看线路阻抗是否成功实现。
损失的表征
模拟的CPW和带状线模式如图1和2所示。在HFSS中模拟了所有模式的衰减和相位常数。CPW和带状线的主导模式具有较大的实际相位常数400radm和衰减常数(10ghz时为10 Np/m)。其他非主导模式在模拟中是消失的。
图1所示。偶(cpw)模式的向量表示。
图2。寄生槽线(奇)模式的矢量表示。
为了估计每种损耗对嵌入CPW的影响，我们依次加入铜的电导率、介电损耗和粗糙度，如图3和图4所示。这里使用了最坏的情况，假设所有信号和地面表面的粗糙度为6米。图表显示，当皮肤深度为粗糙度(0.1 GHz)量级时，粗糙度变得重要。为了公平地比较目标带宽的损耗，从总功率中减去插入损耗和回波损耗，如式1所示。介质损耗是总损耗的最大贡献者。
图3。损失对CPW损失的贡献。(a)欧姆损耗(b)欧姆和介电损耗(c)经济、介电和粗糙度。
图4。损失对CPW损失的贡献。(a)欧姆损耗(b)欧姆和介电损耗(c)经济、介电和粗糙度。
边缘耦合CPW和带状线的比较
在本节中，模拟了两个边缘耦合的cpw和带状线，如图5所示。两条带状线之间的水平分离间隙以5mil的增量变化，从5mil到15mil不等。在CPW中，两个CPW之间的中心地面宽度在相同的距离内是不同的。采用终端仿真模拟4mils粗线段，其中有一个996mils脱嵌端口。波端口被分配到电路的正面和背面，如图5所示。选择波口的大小，使高阶模式，包括波导模式从波口不传播。选择上、下、侧地作为参考导线，在左、右中心导线和中地分别放置3个端子。侧地被指定为通过波端口边缘的地。中地终端重新规范为10个6指定另一个接地导体，并将中心导体重新标准化为50欧姆。CPW和未耦合带状线均为50欧姆，回波损耗大于30dB。
在所有配置中，CPW的性能都明显优于带状线，如图6和7所示。图6和图7中的虚线表示隔5mil的边耦合导体的隔离和耦合，实线表示隔10mil，虚线表示隔15mil。顶部虚线表示带状线，底部虚线表示CPW。可以显著增加共面CPW线的密度，以产生与带状线相同的耦合和隔离。例如，两个相距5mils的边耦合cpw的耦合与两条相距15mils的带状线的耦合相同。通过减小间隙宽度，可以进一步减小CPW中的耦合，从而将电场更紧密地限制在间隙[27]附近。
图5。边缘耦合CPW线。
图6。两条边耦合CPW和带状线的耦合比较。
图7。两个边缘耦合CPW和带状线的隔离比较。
舷侧耦合CPW与带状线比较
图8显示了两个宽侧耦合的cpw，并在类似的配置下模拟了带状线。利用HFSS的终端仿真对电路进行了仿真。两侧耦合线之间的距离分别为4,6和8mil。图9和图10中的标签显示了对称轴、x-y平面和每条线之间的距离。模拟以与上一个类似的方式进行，除了这一次，只有输入端口被去嵌入并重新规范化为50欧姆。输出波口未进行重归一化，呈现出完美的匹配条件，s参数被归一化为频率相关的阻抗，以呈现隔离和耦合之间的明显区别。与前面的模拟一样，结果与恒定50欧姆仪器的测量结果不一致，但在两种情况下，更容易看出耦合和隔离之间的差异。CPW线的耦合和隔离比带状线低。如果线路不携带差分信号，这是有益的。
图8。宽侧耦合CPW线。
图9。两个宽侧耦合带状线和cpw的耦合。
图10。两宽侧耦合带状线和cpw的隔离。
结论
在高速数字电路中，最大限度地减少信号层数，限制层转换，并消除带状线中的隔离接地层，以减少层数，从而降低多层板的价格和重量。我们表明，与stirpline相比，具有盖屏蔽的嵌入式CPW具有更大的设计灵活性和更高的封装密度，具有相当的耦合和隔离性能。
参考文献
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本文最初发表于EDI CON USA 2018。
