不同的共面波导(CPW)结构在过去已经被研究过。例如,CPW是温在1969年[1],[2]提出的。[3]中的Gupta列出了各种类型的CPW:有限介质厚度的CPW,有限地平面宽度的CPW,带覆盖屏蔽的CPW,带覆盖屏蔽的导体背CPW,导体背CPW,多层CPW,不对称CPW和有限介质厚度共面波导(CBCPW)的不对称CPW。Wolff在[4]中检查CPW。最近,人们对5G应用[5]、高速数字应用[6]-[9]和光学频率[10]的毫米波频率的PCB和集成电路上传输线的宽带特性重新产生了兴趣。研究了具体的传输线特性,从铜的粗糙度建模[11],[12],CPW中通孔的放置[12]-[18],并将CPW的性能与[19]中的微带进行了比较。

带状线是高速数字电路的首选传输线。带状线的优点是它支持TEM模式,因此没有色散,也没有较低的截止频率。条带线具有低辐射,此外,远端串扰为零,因为对称产生相对电容和电感耦合,近似等于[20]。然而,对于特定的传输线阻抗,信号带的宽度到基板的高度必须固定,这限制了带线的设计灵活性。

CPW的优势在于它的设计灵活性。cpw可以在厚基材上制造。在CPW中实现特定特性阻抗的设计准则是信号条带宽度与间隙的比值。(信号带宽度与基片高度的比例不需要固定,就能产生50欧姆的线。)只要间隙尺寸小于衬底厚度[1],特性阻抗与衬底厚度无关。为了避免寄生微带模式,微带的宽度和间隙必须小于到下地面或上地面的距离。为了避免带状线模式,间隙必须小于信号线宽度。

通过孔可以在条带线和CPW中引入,以防止平行板波导模式,但这增加了制造复杂性和成本。此外,空气桥可以被引入,以消除槽线(又名奇数CPW)模式。与微带[21]相比,CPW的尺寸可以更小,因此也可以更小。为了使平行板模式最小化,可以将与信号线同层的接地面尺寸做得更小,使结构有限地共面波导(FGC)。

在实践中,基材的底部通常是金属化的,用于结构支撑和改善多层板中层与层之间的隔离。顶部金属盖也存在于封装电路中,使大多数CPW结构具有导体支持的CPW盖屏蔽。本工作研究了适用于Intel架构平台[22]等多层板的带屏蔽和有限尺寸接地的嵌入式导体衬底CPW。本文对带屏蔽损耗、模态分析和耦合的条带线和导体衬底FGC进行了比较研究。

仿真设置

利用HFSS中的模态分析,首次对FGC和带状线进行了单线模拟。对于单条线,为CPW和长度为4mil的带状线设置了四种模式。然后使用HFSS去嵌入功能将结果去嵌入到1英寸。

在模拟中使用FR-4板的典型值:r= 4:4, tan = 0:02 = 5:78.使用HFSS中的Groiss模型[23]选项,粗糙度设置为RMS=6 m。对所有金属表面设置相同的粗糙度。在这种情况下,CPW性能很可能被低估了,因为信号带一侧的粗糙度,即场集中的地方,较低[19]。所有金属都有1/2oz的有限厚度,或t = 0:7 mils。介质损耗采用简单损耗模型。

带状线的尺寸是使用Keysight高级设计系统[24]中的Linecalc设计的。基板的尺寸最初使用的是典型的基于intel的多层板。在多层堆叠中,层是芯、预浸料和铜箔。在这个模拟中,电介质材料是典型的FR4均质衬底,核心和预预件具有相同的电介质性能。带状线信号宽度设置为w=7 mils,与任一地的距离保持为9 mils,以保持50欧姆阻抗。

利用[26]和ADS中的方程,在Matlab[25]中计算带屏蔽阻抗的导体背背CPW,设置信号线宽度为7mils,增大与地的距离,直到衬底高度h=12mils时寄生微带模式最小化。然后将CPW到地面平面的距离设置为16mils。对于50欧姆-欧姆线路,间隙为g = 4密耳。通过对广义s参数的分析,验证了HFSS中输电线路阻抗仿真的成功实现。

损失的定性

模拟CPW和带状线模式如图1和2所示。对HFSS中所有模式的衰减和相位常数进行了模拟。CPW和条带线的优势模具有较大的实相位常数400radm和衰减常数(10np /m在10ghz)。模拟中的其他非主导模式是可消失的。


图1。偶数(cpw)模式的向量表示。


图2。寄生槽线(奇数)模式的矢量表示。

为了估计每种损耗对嵌入CPW的影响,依次添加铜的电导率、介质损耗和粗糙度,如图3和4所示。这里使用了最坏的情况,假设所有信号和地面表面的粗糙度为6米。从图中可以看出,当表面深度为0.1 GHz时,粗糙度变得非常重要。为了公平地比较感兴趣带宽中的损耗,在总功率中减去插入损耗和返回损耗,如式1所示。介质损耗是造成总损耗的最大因素。


图3。损失对CPW损失的贡献。(a)欧姆损失(b)欧姆和介电损失(c)组态、介电和粗糙度。


图4。损失对CPW损失的贡献。(a)欧姆损失(b)欧姆和介电损失(c)组态、介电和粗糙度。

边缘耦合CPW和带状线比较

在本节中,模拟了两个边缘耦合cpw和条带线,如图5所示。两条带状线之间的水平分离间隙以5mil增量从5mils变化到15mils。在CPW中,两个CPW之间的中心地面宽度变化相同的距离。使用终端仿真模拟4mils粗线段,有一个996mils去嵌入端口。波口被分配到电路的正面和背面,如图5所示。波口的大小被选择以使高阶模式,包括来自波口的波导模式不传播。选择上、下、侧接地作为参考导线,在左右中心导线和中间接地处分别放置三个端子。侧地被指定为通过波口边缘的地。中间地面终端重新调整为10个6指定另一个接地导体,中心导体重新归一化为50欧姆。CPW和未耦合条带线均为50欧姆,回波损耗均在30dB以上。

在所有配置中,CPW的性能都显著优于带状线,如图6和7所示。图6和图7中的虚线表示分离为5密耳的边缘耦合导体的隔离和耦合,实线表示分离为10密耳,虚线表示分离为15密耳。上面的虚线代表条带线,下面的线代表CPW。共面CPW线的密度可以显著增加,以产生与带状线相同的耦合和隔离。例如,两个相距5mils的边缘耦合cpw的耦合与两条相距15mils的条带线的耦合相同。通过减小间隙宽度,可以进一步减小CPW中的耦合,从而将场更紧密地限制在间隙[27]内。

图5。边缘耦合CPW线。

图6。两种边缘耦合CPW和条带线的耦合比较。

图7。两种边缘耦合CPW和条带线的隔离比较。

横向耦合CPW和带状线比较

图8中显示了两个宽耦合cpw,并以类似的配置模拟了带状线。在HFSS中采用终端仿真对电路进行仿真。舷侧耦合线之间的距离分别为4,6,8mils。图9和10上的标签显示了对称轴、x-y平面和每条线之间的距离。模拟的执行方式与前一个类似,除了这一次,只有输入端口被去嵌入并重新规格化到50欧姆。输出波口未进行归一化,表现出完全匹配的条件,s参数归一化为频率相关阻抗,表现出隔离和耦合的明显区别。结果与50欧姆常数仪器的测量结果不一致,但在两种情况下更容易看到耦合和隔离之间的差异。CPW线的耦合和隔离比带状线低。如果线路不携带差分信号,这是有益的。

图8。舷侧耦合CPW线。

图9。两个宽耦合带状线和cpw的耦合。

图10。两个宽耦合带状线和cpw的隔离。

结论

在高速数字电路中,最大限度地减少信号层的数量,限制层的过渡,并去除带状线中的隔离接地层,以减少层数,从而降低多层板的价格和重量。我们表明,与stirline相比,具有覆盖屏蔽的嵌入式CPW提供了更大的设计灵活性和更高的封装密度,具有可比的耦合和隔离性能。

参考文献

[1] C. P. Wen,“共面波导,一种适用于非互反陀螺磁器件应用的表面条带传输线”,1969年G-MTT国际微波研讨会,会议论文集,第110-115页。
[2]——,“共面波导:一种适用于非互反陀螺磁器件应用的表面条形传输线”,《IEEE微波理论与技术汇刊》,第17卷,no. 1。12, pp. 1087 - 1090,1969。
[3] K. Gupta,微带线和槽线,先生。Artech房子天线和传播库。Artech House, 1996年。(在线)。可用:https://books.google.com/books?id=gqeHQgAACAAJ
I. Wolff,共面微波集成电路。约翰·威利父子出版社,2006年出版。
[5] J. Coonrod,“毫米波频率下的电路材料管理”,《微波杂志》,第58卷,第1期。7, pp. 98 - +, 2015。
[6] E. B. El-Sharawy,“用于高速数字应用的多层共面波导”,1992年IEEE MTT-S微波研讨会摘要,会议论文集,第979-982卷。
郭晓明,D. R. Jackson, M. Y. Koledintseva, S. Hinaga, J. L. Drewniak,和J. Chen,“带状线互连中导体表面粗糙度对信号传播的影响分析”,IEEE电磁兼容学报,第56卷,第1期。3, pp. 707-714, 2014。
[8] G. Gronau和A. Felder,“用于表征高达40gbit /s高速数字电路的共面波导测试夹具”,电子通讯,第29卷,no. 1。第22页,1939-1941,1993。
[9] Y. Qian, E. Yamashita, K. Atsuki,“悬浮共面波导中皮秒脉冲的模态色散控制和失真抑制”,IEEE微波理论与技术学报,第40卷,no. 1。10, pp. 1903-1909, 1992。
[10] F. Fesharaki, T. Djerafi, M. Chaker,和K. Wu,“dc- thz频谱上的低损耗和低色散传输线”,IEEE通讯太赫兹科学技术,第6卷,no. 1。4, pp. 611-618, 2016。
P. G. Huray, S. Hall, S. Pytel, F. Oluwafemi, R. Mellitz, D. Hua和P. Ye,“表面粗糙度功率损失的三维雪球模型的基本原理”,互连上的信号传播,2007。2007年SPI。IEEE研讨会。IEEE,会议论文集,第121-124页。
[12] A. Sain和K. L. Melde,“接地共面波导互连中通过放置接地的影响”,IEEE通讯,封装与制造技术,第6卷,no. 1。1, pp. 136-144, 2016。
[13] W. H. Haydl,“通孔在导体衬底共面电路中的应用”,《IEEE微波理论与技术汇刊》,第50卷,no. 1。6, pp. 1571-1577, 2002。
Y. P. Lamy, K. Jinesh, F. Roozeboom, D. J. Gravesteijn,和W. F. Besling,“用于三维集成的通硅通径和共面波导的Rf表征和分析建模”,IEEE先进封装学报,第33卷,no. 3。4,页1072 - 1079,2010。
[15] G. E. Ponchak, C. Donghoon,和Y. Jong-Gwan,“ltcc封装中条带线电路之间隔离的镀通孔栅栏的表征”,1998年IEEE MTT-S国际微波研讨会文摘(Cat。《会议论文集》第3卷,No.98CH36192),页1831-1834卷。
A. Sain,通过围栏的地面,嵌入图案层和金属表面粗糙度对导体背衬共面波导的影响的研究。亚利桑那大学,2015年。
[17] A. sainn和K. L. Melde,“通过降低计算复杂度来表征导体表面粗糙度对cb-cpw行为的影响”,2012年IEEE第21届电子封装和系统电气性能会议,会议论文集,260-263页。
M. Yu, R. Vahldieck,和J. Huang,“10 mil导体衬底cpw与通孔和空气桥的同轴发射器和晶圆探针激励的比较”,微波研讨会文摘,1993。, IEEE MTT-S国际。IEEE,会议论文集,705-708页。
[19] J. Coonrod和B. Rautio,“微带和cpw性能的比较”,微波杂志,第55卷,第1期。7, pp. 74-86, 2012。
[20] E. Bogatin,信号完整性:简化。Prentice Hall Professional, 2004年。
[21] T. Sporkmann,“共面mimics在过去30年的发展”,《微波杂志》,欧洲-全球版,第41卷,no. 1。7,页96-96,98,102,108,111,1998。(在线)。可选:` Go toISI¿://INSPEC:6049621
K. Edwards和V. Ragavassamy,“英特尔架构平台的Pcb堆叠概述”,布局和信号完整性考虑,2008。
[23] S. Groiss,“有损耗腔谐振器的数值分析”,论文,1996。
[24] a.d.系统,发布2016年。加州圣罗莎:Keysight, Inc., 2016。
[25] MATLAB,版本9.2.0 (R2017a)。纳蒂克,马萨诸塞州:The MathWorks Inc., 2017。
[26] R. N. Simons,“共面波导电路,元件和系统。2001年。”
[27] G. Garcia和C. Chang,“两个共面波导之间的串扰”,加州圣地亚哥海军海洋系统中心,技术代表,1989。

本文最初发表于EDI CON USA 2018。