EDI CON China 2019宣布今年的技术会议预览和开放注册的会议和展览。该活动将于4月1日至3日返回北京，在中国国家会议中心(CNCC)举行，届时将有行业领先公司的展览和技术会议，包括为期三天的技术演示、研讨会、小组讨论和专题演讲。
今年的活动包括以下主题领域的技术会议和研讨会:
5G和区块链技术
5 g /先进的通信
mmWave技术
射频/微波放大器设计
EMC / EMI
低功耗射频和物联网
前端设计
电源完整性
雷达与防御
射频与微波设计
信号的完整性
仿真与建模
测试与测量
活动将于4月1日星期一上午10点开始，开幕全体会议将由活动主办赞助商Keysight、活动钻石赞助商Rohde & Schwarz以及受邀演讲者Picotest创始人Steven Sandler进行重点演讲。Sandler是一位著名的功率专家，他将在演讲中阐述“RF、微波和高速电路中的功率相关考虑因素”。本技术演示将介绍电源对射频、微波和高速数字系统的多种影响，还将介绍一些模拟、测量和解决这些复杂问题的技术。
紧接这些主题演讲，展厅将开启，展示行业领先公司的创新成果，包括Keysight、罗德与施瓦茨、Mini-Circuits、UNI Compound、WIN半导体、四川亿丰电子科技等。今年的展会还将举办第二届EDI CON年度产品创新奖，该奖项旨在表彰去年推出的对行业产生最大影响的产品，并提供了实现下一代电子设计创新所需的工具。入围名单将提前公布，获奖名单将于4月2日(周二)在EDI CON China的展厅内公布。
EDI CON China 2019还将举办由来自世界各地的行业专家组成的小组讨论。“5G无线(OTA)测试”小组将研究大规模MIMO、动态波束形成以及设备和系统上缺乏RF测试端口是如何使OTA测试对5G部署至关重要的。该行业专家小组将审查OTA测试的选项，如近场测量、间接远场测量和混混室技术，这些技术将适用于5G设备和系统的生产测量。
在“GaN技术现状”小组中，半导体代工和器件制造商专家将回顾和讨论GaN制造的现状，包括可靠性、先进的散热技术、新的封装创新、Si vs SiC衬底、毫米波GaN器件、将GaN用于其他器件类型(如开关/LNAs/混合器)以及中国GaN半导体生产状况。这两个小组将由Pat Hindle，微波杂志的编辑主持。
这三天将包括基于EDI CON China 2019技术咨询委员会同行评审的摘要的技术演示。今年包括一个新的计划轨道:区块链技术应用于5G。这一主题将以会议和小组讨论为特色，讨论区块链技术应用于5G应用的新方式，如5G中大规模物联网的可扩展共识机制、动态频谱管理和设备安全。
会议还将包括由EDI CON中国赞助商举办的研讨会，涵盖应用和产品特定主题，并就如何在最新的电子设计中使用系统、设备以及测试和测量、仿真和建模设备提供实际建议。计划中的展示层应用讲座将向所有与会者开放，并提供最佳设计实践的见解。
我们希望您今年能来北京参加EDI CON China 2019。展览时间为4月1日上午11点至下午17点;四月二日:上午九时三十分至下午十一时;及四月三日:上午九时三十分至下午十三时。会议时间为4月1日上午10时至下午17时30分;四月二日:上午九时三十分至下午十一时;及四月三日:上午九时三十分至下午十二时三十分。请在http://www.ediconchina.com/registration.asp．